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IXGT20N140C3H1中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IXGT20N140C3H1 |
| 功能描述 | GenX3 1400V IGBTs w/ Diode |
| 文件大小 |
107.11 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-11 17:32:00 |
| 人工找貨 | IXGT20N140C3H1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXGT20N140C3H1規(guī)格書(shū)詳情
GenX3? 1400V IGBTs w/ Diode
High-Speed PT IGBTs for 20 - 50 kHz Switching
特性 Features
? Optimized for Low Switching Losses
? Square RBSOA
? High Avalanche Capability
? Anti-Parallel Ultra Fast Diode
? International Standard Packages
Advantages
? High Power Density
? Low Gate Drive Requirement
Applications
? High Frequency Power Inverters
? UPS
? Motor Drives
? SMPS
? PFC Circuits
? Battery Chargers
? Welding Machines
? Lamp Ballasts
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXGT20N140C3H1
- 功能描述：
IGBT 模塊 40khz C-IGBT w/Diode Power Device
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
25+ |
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-268D3PAK |
21368 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-268 |
6000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
