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IXGP42N30C3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGP42N30C3
廠商型號

IXGP42N30C3

參數(shù)屬性

IXGP42N30C3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V 223W TO220AB

功能描述

GenX3 300V IGBT
IGBT 300V 223W TO220AB

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

181.42 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 14:49:00

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IXGP42N30C3價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IXGP42N30C3規(guī)格書詳情

IXGP42N30C3屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGP42N30C3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGP42N30C3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,42A

  • 開關能量:

    120μJ(開),150μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    21ns/113ns

  • 測試條件:

    200V,21A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 300V 223W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價
IXYS
1932+
TO-220
733
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
IXYS原裝
23+
TO-220
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
24+
N/A
57000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
IXYS
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS
23+
TO220
7000
詢價
IXYS
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
3438
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
IXYS
23+
TO220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價