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IXGN82N120B3H1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

IXGN82N120B3H1
廠商型號

IXGN82N120B3H1

參數(shù)屬性

IXGN82N120B3H1 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B

功能描述

High-Speed Low-Vsat PT IGBT for 3-20 kHz Switching
IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

197.05 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-25 13:45:00

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IXGN82N120B3H1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IXGN82N120B3H1規(guī)格書詳情

IXGN82N120B3H1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGN82N120B3H1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGN82N120B3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    PT

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,82A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
22+
SOT227B
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS
2405+
原廠封裝
5000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83273355鄒小姐
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IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
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SOT-227
15800
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