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IXGN60N60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

IXGN60N60
廠商型號

IXGN60N60

參數(shù)屬性

IXGN60N60 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227B

功能描述

Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227B

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

67.35 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 11:45:00

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IXGN60N60規(guī)格書詳情

IXGN60N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGN60N60晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

特性 Features

● International standard package SOT-227B

● Aluminium nitride isolation

- high power dissipation

● Isolation voltage 3000 V~

● Very high current, fast switching IGBT

● Low VCE(sat) for minimum on-state conduction losses

● MOS Gate turn-on drive simplicity

● Low collector-to-case capacitance (< 50 pF)

● Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

● Easy to mount with 2 screws

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGN60N60

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    PT

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,60A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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