IXGM30N60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXGM30N60 |
| 參數(shù)屬性 | IXGM30N60 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：POWER MOSFET TO-3 |
| 功能描述 | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| 封裝外殼 | TO-204AE |
| 文件大小 |
64.75 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 18:14:00 |
| 人工找貨 | IXGM30N60價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXGM30N60規(guī)格書詳情
IXGM30N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGM30N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
特性 Features
International standard packages
2nd generation HDMOS? process
Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXGM30N60
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，30A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
100ns/500ns
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AE
- 描述：
POWER MOSFET TO-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-3 |
71442 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
模塊 |
595 |
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
IXYS |
20+ |
TO-3 |
35830 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IXYS |
25+ |
TO-3 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-3 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
TO204 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
24+ |
45 |
詢價 | |||||
IXYS |
2025+ |
TO204AE |
3570 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-204 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
26 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 |
