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IXGN200N60B3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 IXYS

IXGN200N60B3IXGN200N60B3參考圖片

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  • 廠家型號(hào):

    IXGN200N60B3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IXYS/艾賽斯

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    1290

  • 產(chǎn)品封裝:

    MODULE

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    18+

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-7-30 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IXGN200N60B3品牌:IXYS/艾賽斯

主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126

IXGN200N60B3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝MODULE/SOT-227-4,miniBLOC的IXGN200N60B3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    IXGN200N60B3

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    4 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    839.36 kb

  • 資料說(shuō)明:

    600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    :IXGN200N60B3

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :300

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :1.5

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :183

  • Configuration

    :Single

  • Package Type

    :SOT-227

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.15

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)

    :4.2

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :200

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    朱小姐

  • 手機(jī):

    18126328660

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82767689

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503