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IXGM25N100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGM25N100
廠商型號

IXGM25N100

參數(shù)屬性

IXGM25N100 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:POWER MOSFET TO-3

功能描述

Low VCE(sat), High speed IGBT
POWER MOSFET TO-3

封裝外殼

TO-204AE

文件大小

106.55 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-1 11:12:00

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IXGM25N100規(guī)格書詳情

IXGM25N100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGM25N100晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

● International standard packages

● 2nd generation HDMOSTM process

● Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247) (isolated mounting screw hole)

● High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGM25N100A

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    100ns/500ns

  • 測試條件:

    800V,25A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AE

  • 描述:

    POWER MOSFET TO-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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