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IXGH30N60B4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
IXGH30N60B4 |
| 參數(shù)屬性 | IXGH30N60B4 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 66A 190W TO247 |
| 功能描述 | High-Gain IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
88.58 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-9 19:39:00 |
| 人工找貨 | IXGH30N60B4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXGH30N60B4規(guī)格書詳情
IXGH30N60B4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH30N60B4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Medium-Speed PT Trench IGBT
特性 Features
Optimized for Low Conduction and Switching Losses
Square RBSOA
International Standard Package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXGH30N60B4
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，24A
- 開關(guān)能量：
440μJ（開），700μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
21ns/200ns
- 測試條件：
400V，24A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 66A 190W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXGH) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
5 |
詢價 | |||
IXYS |
23+ |
TO247 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO247 |
7000 |
詢價 | |||
IXYS |
2022+ |
TO-247AD(IXGH) |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-247 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
