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IXGH30N60分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH30N60
廠商型號

IXGH30N60

參數(shù)屬性

IXGH30N60 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 60A 200W TO247AD

功能描述

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

64.75 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商

IXYS

網址

網址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 23:01:00

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IXGH30N60規(guī)格書詳情

IXGH30N60屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXGH30N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

特性 Features

International standard packages

2nd generation HDMOS? process

Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXGH30N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    1.3mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/130ns

  • 測試條件:

    480V,30A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 200W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
35
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
IXYS
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
IXYS
0441+
TO247
257
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
TO-247
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
詢價
IXYS
25+23+
TO-247
38004
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
詢價
IXGH30N60U1
88
88
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
16162
原裝正品現(xiàn)貨
詢價