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IXGH28N60B3D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGH28N60B3D1參考圖片

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  • 廠家型號:

    IXGH28N60B3D1

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IXYS/艾賽斯

  • 庫存數(shù)量:

    3580

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間:

    2025-7-29 13:36:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:IXGH28N60B3D1品牌:IXYS/艾賽斯

原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價

IXGH28N60B3D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IXGH28N60B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    IXGH28N60B3D1

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    2 頁

  • 文件大小:

    72.81 kb

  • 資料說明:

    PolarHV IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號

    :IXGH28N60B3D1

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :66

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :1.8

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :100

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :TO-247U

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.66

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)

    :1

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :28

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :1

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :10

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市億智騰科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    肖先生

  • 手機(jī):

    15989484793

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  • 電話:

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    福田區(qū)華強(qiáng)北街道振興南路華勻大廈1棟4樓412A