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IXFT12N100

N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

Features ?Internationalstandardpackage ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?FastintrinsicRectifier Applications ?DC-DCconverters ?Synchronou

IXYS

IXYS Corporation

IXFT12N100

N通道HiPerFET MOSFET; ? 國際標準包裝 \n? 高電流處理能力\n? 低RDS(on) HDMOS過程\n? 雪崩評級\n? 較低的封裝電感\(zhòng)n? 快速本征二極管\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXFT12N100F

HiPerRF Power MOSFETs

VDSS=1000V ID25=12A RDS(on)≤1.05Ω trr≤250ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Low IntrinsicRg,HighdV/dt,Lowtrr Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?

IXYS

IXYS Corporation

IXFT12N100Q

HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class

Features ●IXYSadvancedlowQgprocess ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Advantages ●

IXYS

IXYS Corporation

IXFT12N100F

HiPerRF Power MOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFT12N100Q

N通道HiPerFET MOSFET; ? 國際標準包裝\n? 堅固的多晶硅柵極單元結構\n? 適用于非鉗位感應開關（UIS）\n? 快速本征整流器\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXFT12N100QHV

N通道HiPerFET MOSFET; ? 國際標準包裝\n? 堅固的多晶硅柵極單元結構\n? 適用于非鉗位感應開關（UIS）\n? 快速本征整流器\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXFT12N100QHV

High Voltage Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

技術參數

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：

    1.05

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：

    12

  • Gate Charge (nC)：

    122

  • Thermal resistance [junction-case](K/W)：

    0.42

  • Configuration：

    Single

  • Power Dissipation (W)：

    298

  • Maximum Reverse Recovery (ns)：

    250

  • Sample Request：

    No

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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9000
原廠渠道,現貨配單
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原裝正品，支持實單
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原裝正品 華強現貨
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5000
只做原裝正品現貨 歡迎來電查詢15919825718
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