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IXFK38N80Q2中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFK38N80Q2
廠商型號

IXFK38N80Q2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R

文件大小

605.11 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-11 17:59:00

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IXFK38N80Q2規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg , low trr

特性 Features

? Double metal process for low gate resistance

? International standard packages

? Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

? Avalanche energy and current rated

? Fast intrinsic Rectifier

? miniBLOCK package version with Aluminum Nitrate isolation

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFK38N80Q2

  • 功能描述:

    MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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