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IXFK360N10T中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFK360N10T
廠商型號

IXFK360N10T

功能描述

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

文件大小

188.5 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 16:50:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFK360N10T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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