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IXFH58N20Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IXFH58N20Q |
| 功能描述 | HiPerFET Power MOSFETs |
| 文件大小 |
356.34 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-13 12:43:00 |
| 人工找貨 | IXFH58N20Q價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXFH58N20Q規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated High dv/dt, Low Qg
特性 Features
? IXYS advanced low Qg process
? International standard packages
? Low gate charge and capacitance
- easier to drive
- faster switching
? Low RDS (on)
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IXFH58N20Q
- 功能描述：
MOSFET 200V 58A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
25+ |
TO-3P |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-3P |
12000 |
只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1822+ |
TO-247 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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詢價(jià) |
