IXFH58N20中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IXFH58N20 |
功能描述 | HiPerFET Power MOSFETs |
文件大小 |
104.03 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-13 18:00:00 |
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IXFH58N20規(guī)格書詳情
HiPerFETs
The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IXFH58N20
- 功能描述:
MOSFET 200V 58A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
25+ |
25000 |
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詢價 | |||
IXYS |
2138+ |
原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8960 |
專營軍工產(chǎn)品,進(jìn)口原裝 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8560 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
30000 |
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IXYS |
24+ |
TO-3P |
5000 |
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詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-3P |
990000 |
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詢價 | ||
IXYS |
1950+ |
TO-247 |
9852 |
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IXYS |
23+ |
TO-3P |
3000 |
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IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IXYS |
25+ |
TO-3P |
3000 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 |