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IXER60N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXER60N120
廠商型號

IXER60N120

參數(shù)屬性

IXER60N120 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

功能描述

NPT3 IGBT
IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

54.09 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-21 18:12:00

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IXER60N120規(guī)格書詳情

IXER60N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXER60N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

NPT3 IGBT in ISOPLUS 247?

特性 Features

? NPT3 IGBT

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized performance in resonant circuits

? ISOPLUS 247? package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins and heatsink

- high reliability

- industry standard outline

Applications

? single switches and with complementary free wheeling diodes

? choppers

? phaselegs, H bridges, three phase bridges e.g. for

- power supplies, UPS

- AC, DC and SR drives

- induction heating

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXER60N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    7.2mJ(開),4.8mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件:

    600V,60A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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