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IXER35N120D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXER35N120D1 |
| 參數(shù)屬性 | IXER35N120D1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247 |
| 功能描述 | NPT3 IGBT with Diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
52.7 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 17:17:00 |
| 人工找貨 | IXER35N120D1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXER35N120D1規(guī)格書詳情
IXER35N120D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXER35N120D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
特性 Features
? NPT3 IGBT
- low saturation voltage
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance in resonant circuits
? HiPerFREDTM diode
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
? ISOPLUS 247TM package
- isolated back surface
- low coupling capacity between pins
and heatsink
- high reliability
- industry standard outline
Applications
? single switches
? choppers with complementary free
wheeling diodes
? phaselegs, H bridges, three phase
bridges e.g. for
- power supplies, UPS
- AC, DC and SR drives
- induction heating
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXER35N120D1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，35A
- 開關(guān)能量：
5.4mJ（開），2.6mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 測試條件：
600V，35A，39 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
ISOPLUS247?
- 描述：
IGBT 1200V 50A 200W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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