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ISL71040MRTZ-T7A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISL71040MRTZ-T7A
廠商型號(hào)

ISL71040MRTZ-T7A

功能描述

Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver

絲印標(biāo)識(shí)

71040MRTZ

封裝外殼

TDFN

文件大小

768.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

24 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-10 12:20:00

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ISL71040MRTZ-T7A規(guī)格書詳情

特性 Features

? Wide operating voltage range of 4.5V to 13.2V

? Up to 14.7V logic inputs (regardless of VDD

level)

○ Inverting and non-inverting inputs

? Optimized to drive enhancement mode GaN

FETs

○ Internal 4.5V regulated gate drive voltage

○ Independent outputs for adjustable

turn-on/turn-off speeds

? NiPdAu-Ag Lead finish (Sn-free, Pb-free)

? Moisture Sensitivity Level (MSL) Rating: 1

? Passes NASA Low Outgassing Specifications

? Full military temperature range operation

○ TA = -55°C to +125°C

○ TJ = -55°C to +150°C

? Characterized radiation levels

○ Low Dose Rate (LDR) <0.01rad(Si)/s: 30krad(Si)

○ No SEB/L, VDD = 16.5V: 43MeV?cm2/mg

Applications

? Flyback and forward converters

? Boost and PFC converters

? Secondary synchronous FET drivers

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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