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ISL71040MRTZ中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISL71040MRTZ
廠商型號

ISL71040MRTZ

功能描述

Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver

絲印標(biāo)識

71040MRTZ

封裝外殼

8LDTDFN

文件大小

788.78 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-10 12:20:00

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ISL71040MRTZ規(guī)格書詳情

特性 Features

? Qualified to Renesas Rad Tolerant Screening and

QCI Flow (R34TB0004EU)

? Wide operating voltage range of 4.5V to 13.2V

? Up to 14.7V logic inputs (regardless of VDD level)

? Inverting and non-inverting inputs

? Optimized to drive enhancement mode GaN FETs

? Internal 4.5V regulated gate drive voltage

? Independent outputs for adjustable

turn-on/turn-off speeds

? NiPdAu-Ag Lead finish (Sn-free, Pb-free)

? Moisture Sensitivity Level (MSL) Rating: 1

? Passes NASA Low Outgassing Specifications

? Full military temperature range operation

? TA = -55°C to +125°C

? TJ = -55°C to +150°C

? TID Radiation Lot Acceptance Testing (LDR:

<0.01rad(Si)/s)

? ISL71040M30RTZ: 30krad(Si)

? ISL71040M50RTZ: 50krad(Si)

? SEE Characterization

? No DSEE with VDD = 16.5V at 43MeV?cm2/mg

? SET ≤15μm2 at 43MeV?cm2/mg

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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