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ISL70023SEHXSLASHSAMPLE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISL70023SEHXSLASHSAMPLE
廠商型號(hào)

ISL70023SEHXSLASHSAMPLE

功能描述

100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

文件大小

564.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
RENESAS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 22:58:00

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ISL70023SEHXSLASHSAMPLE規(guī)格書詳情

特性 Features

? Very low rDS(ON) 5mΩ (typical)

? Ultra low total gate charge 14nC (typical)

? SEE hardness (see SEE report for details)

? SEL/SEB LETTH (VDS = 100V, VGS = 0V):

86MeV?cm2/mg

? ISL70023SEH radiation accepting testing

? High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? ISL73023SEH radiation accepting testing

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount

Device (SMD) package

? Package area: 42mm2

? Full military-temperature range operation

? TA = -55°C to +125°C

? TJ = -55°C to +150°C

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談
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