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ISL70020SEHXSLASHSAMPLE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ISL70020SEHXSLASHSAMPLE
廠商型號(hào)

ISL70020SEHXSLASHSAMPLE

功能描述

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

文件大小

521.659 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
RENESAS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 22:58:00

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ISL70020SEHXSLASHSAMPLE規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical)

? Ultra low total gate charge 19nC (typical)

? ISL70020SEH radiation acceptance testing

○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? ISL73020SEH radiation acceptance testing

○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? SEE hardness (see the SEE report for details)

○ SEL/SEB LETTH (VDS = 40V, VGS = 0V):

86.4MeV?cm2/mg

? Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount

Device (SMD) package

○ Package area: 42mm2

? Full military-temperature range operation

○ TA = -55°C to +125°C

○ TJ = -55°C to +150°C

Applications

? Switching regulation

? Motor drives

? Relay drives

? Inrush protection

? Down hole drilling

? High reliability industrial

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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