IS62WV2568BLL集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	IS62WV2568BLL
參數(shù)屬性	IS62WV2568BLL 封裝/外殼為36-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
功能描述	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
封裝外殼	36-TFBGA
文件大小	73.55 Kbytes
頁面數(shù)量	14 頁
生產(chǎn)廠商	ISSI
中文名稱	北京矽成
網(wǎng)址	網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二
更新時間	2025-8-11 19:08:00
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IS62WV2568BLL規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV2568ALL / IS62WV2568BLL are highspeed, 2M bit static RAMs organized as 256K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 55ns, 70ns

? CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 9 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single power supply

– 1.65V--2.2V VCC (62WV2568ALL)

– 2.5V--3.6V VCC (62WV2568BLL)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS62WV2568BLL-55BLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
2Mb（256K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
55ns
電壓 - 供電：
2.5V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
36-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
36-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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