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IS62WV25616BLL-55BI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IS62WV25616BLL-55BI |
| 參數(shù)屬性 | IS62WV25616BLL-55BI 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
| 功能描述 | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| 封裝外殼 | 48-TFBGA |
| 文件大小 |
112.06 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ISSI |
| 中文名稱 | 北京矽成 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-13 18:38:00 |
| 人工找貨 | IS62WV25616BLL-55BI價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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IS62WV25616BLL-55BI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are high speed, low power, 4M bit SRAMs organized as 256K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.
FEATURES
? High-speed access time: 55ns, 70ns
? CMOS low power operation
36 mW (typical) operating
9 μW (typical) CMOS standby
? TTL compatible interface levels
? Single power supply
1.65V--2.2V VDD (IS62WV25616ALL)
2.5V--3.6V VDD (IS62WV25616BLL)
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Data control for upper and lower bytes
? Industrial temperature available
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS62WV25616BLL-55BI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量：
4Mb（256K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
55ns
- 電壓 - 供電：
2.5V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
18+ |
TFBGA48 |
5000 |
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ISSI |
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詢價(jià) |
