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IS61WV2568EDBLL集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IS61WV2568EDBLL |
參數(shù)屬性 | IS61WV2568EDBLL 封裝/外殼為36-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA |
功能描述 | 256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC |
封裝外殼 | 36-TFBGA |
文件大小 |
657.66 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ISSI |
中文名稱 | 矽成半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-22 10:12:00 |
人工找貨 | IS61WV2568EDBLL價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
2Mb(256K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
10ns
- 電壓 - 供電:
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
36-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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TSOP44 |
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