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IS61WV25616EDBLL-8BLI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IS61WV25616EDBLL-8BLI |
參數(shù)屬性 | IS61WV25616EDBLL-8BLI 封裝/外殼為48-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA |
功能描述 | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC |
封裝外殼 | 48-TFBGA |
文件大小 |
751.82 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ISSI |
中文名稱 | 北京矽成 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 23:00:00 |
人工找貨 | IS61WV25616EDBLL-8BLI價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS61WV25616EDBLL-8BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
4Mb(256K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
8ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國(guó)芯成) |
24+ |
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