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IS61WV12816DBLL集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61WV12816DBLL
廠商型號

IS61WV12816DBLL

參數屬性

IS61WV12816DBLL 封裝/外殼為48-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

功能描述

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

封裝外殼

48-TFBGA

文件大小

272.47 Kbytes

頁面數量

21

生產廠商

ISSI

中文名稱

北京矽成

網址

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數據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-7 14:04:00

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IS61WV12816DBLL價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IS61WV12816DBLL規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.

FEATURES

HIGH SPEED: (IS61/64WV12816DALL/DBLL)

? High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns

? Low Active Power: 135 mW (typical)

? Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV12816DALS/DBLS)

? High-speed access time: 25, 35 ns

? Low Active Power: 55 mW (typical)

? Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby

? Single power supply

— VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV12816DAxx)

— VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV12816DBxx)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial and Automotive temperature support

? Lead-free available

產品屬性

  • 產品編號:

    IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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