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IS61WV102416BLL-10MLI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS61WV102416BLL-10MLI |
| 參數(shù)屬性 | IS61WV102416BLL-10MLI 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA |
| 功能描述 | 1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 封裝外殼 | 48-TFBGA |
| 文件大小 |
323.87 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導體有限公司官網 |
| 原廠標識 | ISSI |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 15:29:00 |
| 人工找貨 | IS61WV102416BLL-10MLI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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IS61WV102416BLL-10MLI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL are high-speed, 16M-bit static RAMs organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.
FEATURES
? High-speed access times: 8, 10, 20 ns
? High-performance, low-power CMOS process
? Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
? Easy memory expansion with CE and OE options
? CE power-down
? Fully static operation: no clock or refresh required
? TTL compatible inputs and outputs
? Single power supply
Vdd 1.65V to 2.2V (IS61WV102416ALL)
speed = 20ns for Vdd 1.65V to 2.2V
Vdd 2.4V to 3.6V (IS61/64WV102416BLL)
speed = 10ns for Vdd 2.4V to 3.6V
speed = 8ns for Vdd 3.3V + 5
? Packages available:
– 48-ball miniBGA (9mm x 11mm)
– 48-pin TSOP (Type I)
? Industrial and Automotive Temperature Support
? Lead-free available
? Data control for upper and lower bytes
產品屬性
- 產品編號：
IS61WV102416BLL-10MLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
16Mb（1M x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFBGA
- 供應商器件封裝：
48-迷你型BGA（9x11）
- 描述：
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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