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IS61LV12824-8TQ集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61LV12824-8TQ
廠商型號

IS61LV12824-8TQ

參數(shù)屬性

IS61LV12824-8TQ 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

封裝外殼

100-LQFP

文件大小

77.67 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

北京矽成

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-11 11:34:00

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IS61LV12824-8TQ規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSI IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

? High-speed access time: 8, 10 ns

? CMOS low power operation

— 756 mW (max.) operating @ 8 ns

— 36 mW (max.) standby @ 8 ns

? TTL compatible interface levels

? Single 3.3V power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array (PBGA) and 100-pin TQFP packages.

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61LV12824-8TQ

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    3Mb(128K x 24)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    8ns

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-LQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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