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IS61LV12824-10TQ集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IS61LV12824-10TQ |
| 參數(shù)屬性 | IS61LV12824-10TQ 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 封裝外殼 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
77.67 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ISSI |
| 中文名稱 | 北京矽成 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 23:01:00 |
| 人工找貨 | IS61LV12824-10TQ價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多IS61LV12824-10TQ規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
TheISSI IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.
FEATURES
? High-speed access time: 8, 10 ns
? CMOS low power operation
— 756 mW (max.) operating @ 8 ns
— 36 mW (max.) standby @ 8 ns
? TTL compatible interface levels
? Single 3.3V power supply
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array (PBGA) and 100-pin TQFP packages.
? Industrial temperature available
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS61LV12824-10TQ
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量：
3Mb（128K x 24）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
10ns
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-LQFP（14x20）
- 描述：
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
48 |
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詢價(jià) | ||
ISSI(美國(guó)芯成) |
24+ |
TQFP100(14x20) |
7350 |
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ISSI |
18+ |
* |
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100-LQFP |
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詢價(jià) |
