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IS43LR16800F-6BLI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IS43LR16800F-6BLI |
參數(shù)屬性 | IS43LR16800F-6BLI 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為托盤(pán);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA |
功能描述 | 2M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM |
封裝外殼 | 60-TFBGA |
文件大小 |
1.46704 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
42 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ISSI |
中文名稱 | 矽成半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-23 18:00:00 |
人工找貨 | IS43LR16800F-6BLI價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS43LR16800F-6BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - 移動(dòng) LPDDR
- 存儲(chǔ)容量:
128Mb(8M x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
15ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
60-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
60-TFBGA(8x10)
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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ISSI |
25+ |
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ISSI |
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原廠封裝 |
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