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IS43DR86400C集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

IS43DR86400C
廠商型號(hào)

IS43DR86400C

參數(shù)屬性

IS43DR86400C 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

功能描述

64Mx8, 32Mx16 DDR2 DRAM

封裝外殼

60-TFBGA

文件大小

1.58779 Mbytes

頁面數(shù)量

48

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
ISSI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-4 9:27:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS43DR86400C-25DBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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