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IS42S16400D-7BL	文件：562.65 Kbytes Page：57 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS42S16400D-7BL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR）類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16400D-7BLI	文件：562.65 Kbytes Page：57 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS42S16400D-7BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR）類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16400D-7BL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR）類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16400D-7T	文件：562.65 Kbytes Page：57 Pages	1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS42S16400D-7TI	文件：562.65 Kbytes Page：57 Pages	1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS42S16400D-7TL	文件：562.65 Kbytes Page：57 Pages	1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS42S16400D-7TLI	文件：562.65 Kbytes Page：57 Pages	1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IS42S16400D-7BL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
DRAM
技術(shù)：
SDRAM
存儲(chǔ)容量：
64Mb（4M x 16）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
60-迷你型BGA（6.4x10.1）
描述：
IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IS42S16400D-7BL	ISSI	24+	BGA	20	只做原廠渠道可追溯貨源	詢(xún)價(jià)
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深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IS42S16400D-7BL	ISSI, Integrated Silicon Solut	21+	60-FBGA	5280	進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)	詢(xún)價(jià)
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更多IS42S16400D-7BL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-28 11:07:00

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