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IS42S16400D-7BLI

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7BLI

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400D-7BLI-TR

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400D-7T

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7TI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42S16400D-7BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    64Mb（4M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-迷你型BGA（6.4x10.1）

  • 描述：

    IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI/矽成
21+
SOP
7000
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
 詢價(jià)
ISSI
24+
BGA
23000
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
ISSI
23+
60-TFBGA(6.4x10.1)
73390
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
ISSI
2020+
BGA
9
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
ISSI
24+
BGA(60)
12000
專營ISSI進(jìn)口原裝正品假一賠十可開17增值稅票
 詢價(jià)
ISSI
23+
BGA
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
ISSI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
ISSI
1948+
BGA
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
ISSI/矽成
1215
SDRAM/4MX16SD/FBGA-54/14
988
原裝香港現(xiàn)貨真實(shí)庫存。低價(jià)
 詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
60-FBGA
5280
進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營
 詢價(jià)
更多IS42S16400D-7BLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:02:00

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