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IRLZ24NLPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRLZ24NS)
● Low-profile through-hole (IRLZ24NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLZ24NLPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-252 |
8238 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
IR |
1923+ |
TO-220 |
7823 |
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50只/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
570 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3498 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IR原裝 |
24+ |
TO-220 |
30980 |
原裝現(xiàn)貨/放心購買 |
詢價 |
