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IRLU3303中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRLU3303
廠商型號(hào)

IRLU3303

功能描述

Power MOSFET

文件大小

139.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-17 23:01:00

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IRLU3303規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

? Logic-Level Gate Drive

? Ultra Low On-Resistance

? Surface Mount (IRLR3303)

? Straight Lead (IRLU3303)

? Advanced Process Technology

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLU3303

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
100
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
IR
24+
TO-251
80000
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
詢價(jià)
IR
2016+
TO-251
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
IR
25+23+
TO-251
28640
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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IR
10+
TO-251
123
詢價(jià)
IR
24+
TO-251
154
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
IR/VISHAY
22+
TO-251
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251A
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
IR
23+
TO-251
35890
詢價(jià)