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IRLR2905ZTRPBF中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRLR2905ZTRPBF |
功能描述 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
1.09681 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VBSEMI |
中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-3 17:30:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRLR2905ZTRPBF
- 功能描述:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/國際整流器 |
24+ |
TO-252-2 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
14+ |
TO-252 |
300 |
詢價(jià) | |||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
22000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOT252 |
35903 |
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INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
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IR |
25+ |
TO-252 |
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詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
8000 |
原裝,正品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
20000 |
只做原裝 假一罰十 |
詢價(jià) |