IRLR120N中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRLR120N
- 功能描述:
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
24+ |
NA/ |
282 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
12000 |
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詢價 | |||
INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
NA |
2283 |
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詢價 | ||
IR |
TO-252 |
68500 |
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IR |
25+ |
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IR |
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IR |
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原廠封裝 |
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IR |
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1983 |
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詢價 |