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IRLR120中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLR120
廠商型號(hào)

IRLR120

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

181.33 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-4 20:00:00

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IRLR120規(guī)格書詳情

描述 Description

Third Generation Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRLR120)

? Straight Lead (IRLU120)

? Available in Tape & Reel

? Logic-Level Gate Drive

? RDS(on)Specified at VGS= 4 V & 5 V

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLR120

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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