IRLR024Z中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLR024Z規(guī)格書詳情
描述 Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
特性 Features
Logic Level
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLR024Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1620 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-223 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
IR |
18+ |
TO252 |
12500 |
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配 |
詢價 | ||
IR |
13+ |
TO-252 |
886 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO252 |
64580 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
2000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501036 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO252-3 |
36000 |
只做全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 |
