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IRGS4B60KD1PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRGS4B60KD1PBF |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 文件大小 |
442.69 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 23:01:00 |
| 人工找貨 | IRGS4B60KD1PBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRGS4B60KD1PBF規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
? Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRGS4B60KD1PBF
- 功能描述：
IGBT 晶體管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5593 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-263 |
65248 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-263 |
3500 |
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA |
68932 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-263 |
2400 |
只做原裝，歡迎詢價(jià)，量大價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
50 |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長(zhǎng)期供貨。 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
* |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
