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IRGS10B60KD中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRGS10B60KD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 文件大小 |
324.07 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 20:00:00 |
| 人工找貨 | IRGS10B60KD價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRGS10B60KD規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRGS10B60KD
- 功能描述：
IGBT 模塊 600V 12A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | |||
INTERNATI |
12+ |
1000 |
原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢(shì)量大可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
TO-263 |
8800 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA |
339 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
SOT263 |
3200 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
TO-263 |
7562 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十 價(jià)格優(yōu)勢(shì) 實(shí)單帶接受價(jià) |
詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA |
2860 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) |
