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IRGR3B60KD2TRRP中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRGR3B60KD2TRRP
廠商型號

IRGR3B60KD2TRRP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

318.84 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-2 20:00:00

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IRGR3B60KD2TRRP規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRGR3B60KD2TRRP

  • 功能描述:

    IGBT 模塊

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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