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IRGP4263DPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

IRGP4263DPBF

參數(shù)屬性

IRGP4263DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 90A 325W TO-247

功能描述

IGBT 650V 90A 325W TO-247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 20:00:00

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IRGP4263DPBF規(guī)格書詳情

簡(jiǎn)介

IRGP4263DPBF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGP4263DPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :IRGP4263DPBF

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :650V

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :90A

  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)

    :192A

  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)

    :2.1V @ 15V,48A

  • 功率 - 最大值

    :325W

  • 開關(guān)能量

    :2.9mJ(開),1.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型

    :標(biāo)準(zhǔn)

  • 柵極電荷

    :145nC

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值

    :70ns/140ns

  • 測(cè)試條件

    :400V,48A,10 歐姆,15V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)

    :170ns

  • 工作溫度

    :-40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型

    :通孔

  • 封裝/外殼

    :TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :TO-247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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