特性 Features

? 低 VCE (on) 溝槽柵 IGBT 技術(shù)
? 低開關損耗
? 最高結(jié)溫為 175 °C
? 5 μS 短路 SOA
? 方形 RBSOA
? 所有部件都經(jīng)過 ILM 測試
? 正 VCE(ON) 溫度系數(shù)
? 超低 VF Hyperfast 二極管
? 參數(shù)分布緊湊
? 無鉛封裝

優(yōu)勢:
? 器件經(jīng)過感應加熱和軟開關應用優(yōu)化
? 低VCE(on) 、低開關損耗以及超低的 VF 可實現(xiàn)高效率
? 強健的瞬態(tài)性能提升可靠性
? 并聯(lián)工作時電流共享表現(xiàn)出色
? 低 EMI

簡介

IRGP4068D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGP4068D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。