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IRGP4263D-EPbF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4263D-EPbF
廠商型號

IRGP4263D-EPbF

參數(shù)屬性

IRGP4263D-EPbF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 90A 325W TO-247

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

929.42 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-10 20:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP4263D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,48A

  • 開關(guān)能量:

    2.9mJ(開),1.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    70ns/140ns

  • 測試條件:

    400V,48A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 650V 90A 325W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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