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IRGP4262D-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4262D-EPBF
廠商型號

IRGP4262D-EPBF

參數(shù)屬性

IRGP4262D-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 60A 250W TO247AC

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

679.11 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 9:07:00

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IRGP4262D-EPBF規(guī)格書詳情

? VCES = 650V

? IC = 40A, TC =100°C

? tSC ≥ 5.5μs, TJ(max) = 175°C

? VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP4262D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,24A

  • 開關(guān)能量:

    520μJ(開),240μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    24ns/73ns

  • 測試條件:

    400V,24A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 650V 60A 250W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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