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IRGP4263D-E數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

IRGP4263D-E

參數(shù)屬性

IRGP4263D-E 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 90A 325W TO-247

功能描述

650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package.
IGBT 650V 90A 325W TO-247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 23:01:00

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IRGP4263D-E規(guī)格書(shū)詳情

簡(jiǎn)介

IRGP4263D-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGP4263D-E晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :IRGP4263D-E

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Technology?

    :IGBT Gen 6.2

  • Switching Frequency?min?max

    :8.0kHz?30.0kHz

  • Package?

    :TO-247

  • Voltage Class?max

    :650.0V

  • IC(@100°)?max

    :60.0A

  • IC(@25°)?max

    :90.0A

  • ICpuls?max

    :192.0A

  • Ptot?max

    :325.0W

  • VCE(sat)?

    :1.7V?

  • Eon?

    :1.7mJ?

  • Eoff(Hard Switching)?

    :1.0mJ?

  • td(on)?

    :70.0ns?

  • tr?

    :60.0ns?

  • td(off)?

    :140.0ns?

  • tf?

    :30.0ns?

  • QGate?

    :96.0nC?

  • IF?max

    :192.0A

  • VF?

    :1.9V?

  • Irrm?

    :25.0A?

  • Ets??(max)

    :2.7mJ?(4.5mJ)

  • VCE?max

    :650.0V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
50
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨,假一賠十.
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-247AD
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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Infineon
24+
NA
3220
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)