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IRGP4062DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4062DPBF
廠商型號

IRGP4062DPBF

參數(shù)屬性

IRGP4062DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 48A 250W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

953.88 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 20:38:00

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IRGP4062DPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low switching losses

? Maximum Junction temperature 175 °C

? 5 μS short circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for ILM ①

? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode

? Tight parameter distribution

? Lead Free Package

Benefits

? High Efficiency in a wide range of applications

? Suitable for a wide range of switching frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching losses

? Rugged transient Performance for increased reliability

? Excellent Current sharing in parallel operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP4062DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,24A

  • 開關(guān)能量:

    115μJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    41ns/104ns

  • 測試條件:

    400V,24A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 48A 250W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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