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IRGP4062DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRGP4062DPBF |
參數(shù)屬性 | IRGP4062DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 48A 250W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
953.88 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-5 20:38:00 |
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IRGP4062DPBF規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
? Low switching losses
? Maximum Junction temperature 175 °C
? 5 μS short circuit SOA
? Square RBSOA
? 100 of the parts tested for ILM ①
? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode
? Tight parameter distribution
? Lead Free Package
Benefits
? High Efficiency in a wide range of applications
? Suitable for a wide range of switching frequencies due to
Low VCE (ON) and Low Switching losses
? Rugged transient Performance for increased reliability
? Excellent Current sharing in parallel operation
? Low EMI
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGP4062DPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.95V @ 15V,24A
- 開關(guān)能量:
115μJ(開),600μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
41ns/104ns
- 測試條件:
400V,24A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 600V 48A 250W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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