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IRGP30B120KD-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP30B120KD-E
廠商型號(hào)

IRGP30B120KD-E

參數(shù)屬性

IRGP30B120KD-E 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

132.39 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-7 17:10:00

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IRGP30B120KD-E規(guī)格書詳情

VCES = 1200V

VCE(on) typ. = 2.28V

VGE = 15V, IC = 25A, 25°C

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

特性 Features

? Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology

? Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C)

? 10 μs Short Circuit Capability

? Square RBSOA

? Ultrasoft Diode Recovery Characteristics

? Positive VCE(on) Temperature Coefficient

? Extended Lead TO-247AD Package

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control Applications

? Rugged Transient Performance

? Low EMI

? Significantly Less Snubber Required

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation

? Longer leads for Easier Mounting

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGP30B120KD-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    1.07mJ(開),1.49mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件:

    600V,25A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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