描述 Description

1200V IGBT 與超快 5-40 kHz 軟恢復(fù)二極管聯(lián)合封裝到 TO-247AD 封裝中。

特性 Features

? 低 VCE(on) 非穿通型(NPT) 技術(shù)
? 低二極管 VF（1.76V 典型 @ 25A & 25°C）
? 10 μS 短路能力
? 方形 RBSOA
? 超軟二極管恢復(fù)特性
? 正 VCE(on) 溫度系數(shù)
? 無鉛

優(yōu)勢:
? 電機(jī)控制應(yīng)用基準(zhǔn)效率
? 強(qiáng)健的瞬態(tài)性能
? 低 EMI
? 對緩沖的需求顯著降低
? 并聯(lián)工作時電流共享表現(xiàn)出色
? 引腳更長，安裝更方便

應(yīng)用 Application

? 風(fēng)扇
? 驅(qū)動器和泵
? 太陽能
? 不間斷電源（UPS）
? 焊接

簡介

IRGP30B120KD-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGP30B120KD-E晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。